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三星电子计划在越南投资39万亿越南盾（约合15亿美元）建设一家半导体测试工厂，其提案文件显示，此项扩建将有助于缓解因人工智能需求激增而导致的全球内存芯片短缺。 根据4月提交给当地政府文件显示，该新工厂已于河内以北60公里（37英里）的一处工业园区动工，预计将于2027年11月投产。 这将是三星在越南的首家芯片测试工厂。来自AI数据中心运营商的强劲内存芯片需求，已严重制约了智能手机、笔记本电脑和汽车等行业的供应。 文件显示，该工厂将专注于传统芯片。尽管对AI供应链的重要性较低，但随着主要生产商将更多产能转向AI芯片制造，成熟的内存芯片也面临严重短缺。 根据为新厂址申请环境许可而提交的提案，该新工厂年产能将包括1533亿千兆比特（Gb）的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，以及另外2556亿千兆比特的NAND闪存芯片。 文件显示，该投资已于3月获得越南当局批准，三星计划将该项目产生的利润（如有）最高约25亿美元用于潜在的第二家工厂建设。 目前尚不清楚该工厂是否已获得所有必要许可，还是仍在与当局进行磋商。在越南，企业通常会在等待环境许可期间，先在建设工地上开展初步地基施工。 一位知情人士透露，自4月以来，已有200多名三星工程师和员工在该项目工地工作。 © 1996-2026 SINA Corporation。

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