连毛都没长齐分钟

更新时间：2026年06月02日 05:12　浏览次数： 258

5月27日-29日，2026第十届集微大会在上海张江科学会堂隆重举行，思特威高速光互联事业群联席总经理王文轩在大会首日启幕的AI赋能峰会上发表了以《新型MicroLED光互连方案，赋能AI数据通信新未来》为主题的演讲，围绕AI时代数据通信面临的挑战与机遇，分享了新型MicroLED光互连方案在带宽、功耗与集成度上的创新突破，并介绍了思特威“3+AI”战略布局光互连技术、赋能AI数据通信新未来的核心路径。 AI算力爆发，数据通信四大瓶颈待解王文轩指出，“AI的蓬勃兴起为光通讯提供了崭新的发展机遇，然而，光模块面临着如何进一步降低成本和功耗的双重挑战，传统半导体激光解决方案逐渐触及技术与性能的双重瓶颈，难以满足未来高增长、高密度、低功耗的应用需求。” 当前AI大模型与高性能计算产业进入爆发期，数据量的爆炸式增长对数据传输的速度、效率和可靠性提出了前所未有的要求，带宽墙、功耗墙、密度墙三重瓶颈叠加链路可靠性难题，已成为制约AI算力释放的核心阻碍。具体而言，在带宽层面，HBM3/HBM4内存带宽突破1.6TB/s，单卡算力突破PFLOPS级，传统铜互连800Gbps/1.6Tbps系统速率下，受趋肤效应、串扰、阻抗失配限制，带宽密度无法匹配算力增长；在功耗层面，高密度AI集群中，互连设备功耗占系统总功耗比例持续攀升，800G光模块功耗达15-20W/个，已成为系统级功耗瓶颈，传统铜缆与短距光模块的能效比已逼近物理极限，单bit功耗难以降至2pJ/bit以下；在密度层面，AI集群与CPO交换机对端口密度的需求逐年翻倍，传统可插拔光模块的体积与封装密度已无法满足机柜级、板级、芯片级的高密度集成需求；可靠性层面，数据中心关键业务对链路稳定性要求较高，现有方案受信号衰减和电磁干扰困扰，例如铜缆容易受电磁干扰、光模块内部器件数量较多，单点故障和可靠性存在风险。面对上述挑战，产业界一直在探索破局之路，王文轩强调，“高带宽、低功耗、高集成度已成为光通信技术演进的三大核心方向，MicroLED CPO（光电共封装）技术凭借颠覆性特性，成为破解行业痛点的关键路径。” MicroLED光互连，实现颠覆性突破王文轩表示，“在AI大模型驱动下，数据传输对带宽、功耗和集成度提出了极致要求，传统铜互联与激光光模块已到达性能瓶颈。MicroLED光互连以非激光的自发辐射、宽并行、低功耗的特点，成为AI算力集群短距高速互联的优选方案，实现了光电转换与系统集成的突破。” 他进一步剖析了MicroLED光互连方案的创新逻辑和技术优势，“MicroLED光互连方案源自显示技术，通过将显示领域的微米级LED作为光源，跨界替代传统VCSEL激光器。利用自发辐射机制，突破传统方案在功耗与集成度上的瓶颈，实现光电转换效率的质的飞跃。与传统激光方案相比，它兼具超高带宽、极致能效与工业级可靠性三大核心优势。” 从原理来看，MicroLED光互连链路主要由发射端光引擎、光学传输介质和接收端电芯片三部分组成。其核心思路是采用多光源并行+低功率架构，用大量并行低功耗MicroLED光源，替代传统单光源高功率设计。王文轩指出，“在 CPO（光电共封装）架构下，MicroLED的优势进一步放大。物理层面，MicroLED自发光，无需额外激光器，也无需温控，可在-40℃至125℃范围内稳定运行；在架构层面，MicroLED可实现GPU数据通道与MicroLED像素一一对应，天然匹配GPU/HBM的1024-bit并行接口，是AI时代GPU/HBM互连的理想方案。” 从技术特性来看，MicroLED主流采用InGaN/GaN多量子阱材料体系，核心发光源于电子-空穴对的自发辐射复合，与激光器的受激辐射存在本质差异，因此具备能效高、功耗低、耦合效率高等优势。在实际应用价值上，MicroLED能显著降低数据中心功耗与散热压力。以1.6Tbps速率测算，单bit功耗仅1-2pJ，远低于传统10pJ以上水平。以10万卡GPU集群为例，采用MicroLED方案每年可节省约1500 万度电，减少1.2万吨碳排放，兼顾成本与绿色低碳需求。他进一步补充道，“目前，MicroLED光互连技术已跨过实验室原型验证阶段，核心器件、封装集成、系统设计均取得关键进展，产业链加速成熟，预计未来5-10年将成为超短距高速互连的主流方案。” 思特威 “3+AI” 布局光互连，构建全链路技术生态作为领先的CMOS图像传感器厂商，思特威在光电领域深耕多年，依托深厚技术积累与行业洞察，正式确立“3+Al”战略。王文轩表示，思特威“3+Al”战略的核心是以领先的智能成像技术为核心，与AI深度融合，着力构建“视觉 AI - AI 互连 - 端侧AI ASIC”全链路技术生态。而我们今天重点介绍的HOC光互连技术，正是这个战略中至关重要的一环，它负责打破AI数据传输的瓶颈，释放AI算力潜能。未来，我们将通过内部业务的协同创新，打造一体化的解决方案，与合作伙伴共同赋能AI时代的未来。” 思特威布局MicroLED光互连具备得天独厚的核心优势。据王文轩介绍，在技术层面，公司在Pixel设计、异质集成工艺、MicroLED器件研发等领域积累深厚，核心CMOS工艺与光互连收发芯片设计高度同源，技术协同性显著。在供应链层面，思特威与全球领先MicroLED外延、芯片厂商建立深度战略合作关系，保障核心器件供应，并与全球先进的晶圆、封测厂商紧密协同，共同推进CPO（共封装光学）技术的量产落地。为加速技术落地，思特威组建了顶尖高速光互联事业群（HOC BG）核心团队，团队由深耕CIS领域十余年的清华大学工学硕士任冠京、精通半导体器件与工艺开发的中国工程物理研究院工学硕士王文轩和中科院微电子博士盛志雄领衔，同时，思特威HOC BG集结了一批来自国内外顶尖高校的资深研发人才，团队核心成员均拥有10年以上相关领域经验，构建了覆盖光器件、高速电路、信号处理与系统集成的全栈式研发能力。 © 1996-2026 SINA Corporation。

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